59白菜专区论坛网页版正式推出新款1200V/450A半桥IGBT模块SF450R12E6B。模块采用59白菜专区论坛网页版E类封装(兼容62mm)，具体封装外形及内部电路拓扑结构如下图所示。

产品POD图及内部电路拓扑图

SF450R12E6B采用了12英寸IGBT晶圆，比8英寸具有更高的晶圆利用率，更好的参数一致性。IGBT芯片采用新一代沟槽栅和场终止技术，先进的高密度沟槽技术保证了较低的导通压降和开关损耗。内部反并联快恢复二极管，优化了反向恢复特性，提高了器件开关动态性能。SF450R12E6B适用于变频器、UPS、伺服、逆变器等应用领域。

产品特点

产品性能

1.高温短路测试

SF450R12E6B通过Tc=150℃下短路测试，具体测试数据与波形如下，短路能力>10us，为客户的驱动保护电路提供了足够的响应时间。

表1 高温短路参数

高温短路波形

上机短路测试，短路电流Isc、Vge电压幅值、短路时间、关断电压峰值均在安全范围内，U/V/W相间两两短路10次以上IGBT 均未损坏。

2.温升测试

SF450R12E6B进行温升测试，测试平台为***兰SB70变频器，开关频率2kHz，功率为110kW,与S公司同规格产品进行对比温升测试，在室温（T=28℃），Ic=210A条件下稳定运行2小时后，SF450R12E6B温度为49℃，比竞品低1℃。

3.并联均流测试

SF450R12E6B在250kW变频器平台上测试，开关频率为2kHz，带载情况下，U/V/W相并联的两IGBT输出电流偏差均在5%以内，Vge波形高度一致，Vce电压峰值为600V，一致性较好。

SF450R12E6B可应用于逆变器、工业变频器、风力发电、大功率电源等工业领域，针对工业应用的特点优化了器件损耗，提高了系统效率。优化了器件EMI特性，降低了系统噪声。SF450R12E6B经过严格的可靠性测试，适用于各种严酷的工业应用环境。